国家/地区 美国（129） 韩国（124） 日本（110） 中国（95） 世界知识产权组织（94） 欧洲专利局（EPO）（53） 台湾（23） 西班牙（9） 加拿大（7） 德国（5） 印度（5） 新加坡（5） 俄罗斯（4） 香港（3） 巴西（2） 以色列（2） 墨西哥（2） 南非（2）
IPC部 C（243） B（156） H（125）
G（14） A（5） D（4）
F（4）
IPC大类 C01（243） H01（121） B82（115）
C23（63） B01（59） B32（44）
B05（16） C09（13） C08（11）
C30（10） C07（9） C25（9）
H05（8） C03（6） C22（6）
IPC小类 C01B（243） B82Y（102） C23C（61）
H01B（60） H01L（57） B01J（56）
B32B（44） H01M（40） B82B（32）
H01G（23） B05D（16） C01G（10）
C30B（10） C08K（7） C07C（6）
IPC C01B031/02（243）
发明人 WANG Y（12） ZHOU M（11） HONG B H（8）
JIANG K（8） LIN X（8） WON D K（8）
CHOI J Y（7） FAN F Y（7） FAN S（7）
XIAO L（7） AHN J（6） CHOI J（6）
KIM S（6） SHIN H J（6） HONG B（5）
公开年 2012（243）
申请年 2011（126）  2012（70）  2010（47） 
专利权人 SAMSUNG TECH.（13） HAIYANGWANG .（11） HANWHA TECHW.（11） OCEANS KING .（11）
SAMSUNG ELEC.（10） UNIV SUNGKYU.（10） UNIV TSINGHU.（10） HON HAI PREC.（8）
HONGFUJIN PR.（8） KOREA ADV IN.（8） KOREA INST S.（8） OCEAN S KING.（8）
UNIV SUNGKYU.（7） UNIV SUNGKYU.（7） SEMICONDUCTO.（6） FUJITSU LTD（5）
PANASONIC CO.（5） UNIST ACADIN.（5） WANG Y（5） ZHOU M（5）

Preparing graphene-layered structure e.g. epitaxial structure that is useful in e.g. transistor, by implanting nitrogen and oxygen ions on surface of silicon carbide thin film to form ion implantation layer and heat treating the film.

SHIN H, CHOI J, AHN J, SEO J, AHN J R, CHOI J Y, SEO J T, SHIN H J

Graphene useful in power storage device e.g. display devices having at least one hole inside a ring-like structure formed by carbon and nitrogen or carbon and at least one element selected from Group 16 element and halogen.

HIROHASHI T, OGUNI T, KOKUNI T

Graphene comprising a hole, useful e.g. for coating an electrode and an active material which are useful in a power storage device and an electric appliance e.g. a display device, a lighting device and a desktop personal computer.

HIROHASHI T, ADACHI S

Multilayer graphene, useful in power storage device e.g. display devices, video cameras and lighting devices, comprises graphenes stacked in layered manner, where graphenes comprise six-membered ring, poly-membered ring and oxygen atom.

OGUNI T, TODORIKI H, OSADA T, KOKUNI T, TODOROKI H, NAGATA T

Method for manufacturing graphene used in solar cell, involves heat-treating deposited mixed thin film on semiconductor substrate at specific temperature for preset time.

CHOI S H, YANG S B, KIM S

Method for manufacturing display device e.g. flat-panel display device, involves forming first substrate into anti-static layer consisting of graphene thin film.

HEON K T, HONG K C, HYEON P J, HYE K J, HYUN P J

Producing graphene, used in e.g. capacitor and ink, comprises providing metallic particles as templates, providing carbon source, reacting metallic particles and carbon source and forming graphene particles on metallic particles.

COLEMAN K

Low pressure shovel for e.g. steam turbine in airplane engine, has blade root connected to shovel blade and closing shovel blade in extension that is in radial alignment regarding axis, where shovel is made of monocrystalline graphene.

HAJE D

Graphene used for electrical storage apparatus and electric equipment, has specified number of defect density, and oxygen atom bonded with carbon atom.

HIROHASHI T

Growing a one or two monolayer film of graphene on a substrate, comprises depositing a first layer of graphene on the substrate, and annealing the carbon layer to form an ordered graphene layer one or two monolayers thick on the substrate.

KELBER J